ЕСЦентр, г.Пятигорск (КМВ)  



ЕС центр - один из лидеров в области продажи и оперативной поставки электронных компонентов и оборудования.

Светодиод, история, изготовления из различных неорганических материалов

 Светодио?дполупроводниковый прибор с электронно-дырочным переходом, создающий оптическое излучение при пропускании через него электрического тока. Излучаемый свет лежит в узком диапазоне спектра, его спектральные характеристики зависят от химического состава использованных в нём полупроводников.

Хотя люминесценцию в карбиде кремния впервые наблюдал Раунд в 1907 году. Олег Лосев в Нижегородской радиолаборатории в 1923 г. показал, что она возникает вблизи спая. Теоретического объяснения явлению тогда не было.

О. В. Лосев вполне оценил практическую значимость своего открытия, позволявшего создавать малогабаритные источники света с очень низким напряжением питания (менее 10 В) и очень высоким быстродействием. Полученные им два авторских свидетельства на «Световое реле» (первое заявлено в феврале 1927 г.) формально закрепили за СССР приоритет в области светодиодов, утраченный в 1960-гг. в пользу США после изобретения современных светодиодов, пригодных к практическому применению.

В 1923 году, экспериментируя с детектирующим контактом на основе пары «карборунд — стальная проволока», Олег Лосев обнаружил на стыке двух разнородных материалов слабое свечение — электролюминесценцию полупроводникового перехода.

Обычные светодиоды изготавливаются из различных неорганических полупроводниковых материалов. 

 

Цвет

Материал полупроводника

 

Инфракрасный

Арсенид галлия (GaAs)

Алюминия галлия арсенид (AlGaAs)

 

Красный

Алюминия-галлия арсенид (AlGaAs)

Галлия арсенид-фосфид (GaAsP)

Алюминия-галлия-индия фосфид (AlGaInP)

Галлия(III) фосфид (GaP)

 

Оранжевый

Галлия фосфид-арсенид (GaAsP)

Алюминия-галлия-индия фосфид (AlGaInP)

Галлия(III) фосфид (GaP)

 

Жёлтый

Галлия арсенид-фосфид (GaAsP)

Алюминия-галлия-индия фосфид (AlGaInP)

Галлия(III) фосфид (GaP)

 

Зелёный

Индия-галлия нитрид (InGaN) / 

Галлия(III) нитрид (GaN)

Галлия(III) фосфид (GaP)

Алюминия-галлия-индия фосфид (AlGaInP)

Алюминия-галлия фосфид (AlGaP)

 

Голубой

Селенид цинка (ZnSe)

Индия-галлия нитрид (InGaN)

Карбид кремния (SiC) в качестве субстрата

Кремний (Si) в качестве субстрата — (в разработке)

 

Фиолетовый

Индия-галлия нитрид (InGaN)

 

Пурпурный

Двойной: синий/красный диод,

синий с красным люминофором,

или белый с пурпурным пластиком

 

Ультрафиолетовый

Алмаз (235 nm)

Нитрид бора (215 nm)

Нитрид алюминия (AlN) (210 nm)

Нитрид алюминия-галлия (AlGaN)

Нитрид алюминия-галлия-индия (AlGaInN)

 

Белый

Синий/ультрафиолетовый диод с люминофором;